一、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統(tǒng)產(chǎn)品介紹
我們的POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)涵蓋了廣泛的工藝應(yīng)用。與我們的超聲MegPie和特殊的Lift-Off液結(jié)合使用,可進(jìn)一步用于光阻剝離和金屬剝離。此外,也可與去離子水(DiO3)中的臭氧一起使用,為Piranha ( H2SO4 H2O2)清洗提供有效的替代。
Coating - Etching- Developing - Cleaning
1、Coating
(1)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)適用于所有典型的旋涂工藝,該系統(tǒng)在特殊應(yīng)用可選用高耐化學(xué)性 PTFE (TFM?)作為旋涂腔體。旋涂是制造納米聚合物薄膜(PDMS、嵌段聚合體等)技術(shù)??删幊绦D(zhuǎn)速度內(nèi)的加速度是很重的,因?yàn)樗刂屏藦囊粋€(gè)給定的溶液中可以獲得的厚度。旋涂可以相對(duì)容易地從1000轉(zhuǎn)以上的轉(zhuǎn)速產(chǎn)生均勻的薄膜。
(2)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于其所采用的馬達(dá)為高性能無(wú)刷電機(jī),12,000轉(zhuǎn)/分鐘的旋轉(zhuǎn)速度和高達(dá)30,000轉(zhuǎn)/秒*的旋轉(zhuǎn)加速度,使其能夠快速生產(chǎn)從幾納米到幾微米厚的均勻薄膜。
(3)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)控制電機(jī)模式的旋轉(zhuǎn)(順時(shí)針/逆時(shí)針),結(jié)合可選的多達(dá)6個(gè)自動(dòng)分配器,能夠?qū)崿F(xiàn)多層薄膜的均勻沉積和光阻顯影。這些特點(diǎn)支持用全自動(dòng)和高度可重復(fù)的程序配方來(lái)快速優(yōu)化工藝。
2、Etching
晶圓減?。ū趁嫜心ィ┑男课g刻作為晶圓減薄的后處理方法被用于集成電路和MEMS的制造,以便于:
(1)實(shí)現(xiàn)理想的器件厚度(IC、MEMS);
(2)確?;谄骷δ艿奶囟ê穸龋∕EMS);
(3)減少垂直器件(功率器件)的基材串聯(lián)電阻;
德國(guó)Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced濕法處理系統(tǒng)上用HNO3 / HF / CH3COOH進(jìn)行旋涂蝕刻的研究證明,濕法蝕刻,作為旋涂蝕刻的執(zhí)行,可以去除10微米的硅。此外,它幾乎*消除了研磨引起的基材損傷的所有痕跡。該平臺(tái)提供了一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單且價(jià)格合理的工藝設(shè)置。該工藝比CMP快得多,它提供了一個(gè)較高的蝕刻率,并且能夠直接處理背面研磨的晶圓,而不需要額外的清洗。
該平臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn):
①適用于100毫米、150毫米和200毫米晶圓的工藝;
②適用于多種化學(xué)品;
③KOH
④HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)
⑤晶圓片連續(xù)旋轉(zhuǎn);
⑥Puddle模式
⑦分注位置可固定
⑧在特定距離(晶圓直徑)上的振蕩運(yùn)轉(zhuǎn)模式
⑨噴霧式點(diǎn)膠
⑩沖洗式點(diǎn)膠
資料來(lái)源:Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013.
Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士,批量硅濕法蝕刻 2013年。
3、Post-CMP Cleaning
在CMP之后,表面可能會(huì)被漿料的殘留物高度污染。在用含有50nm膠體二氧化硅顆粒的漿料拋光的3''硅片上進(jìn)行的測(cè)試表明,使用POLOS Advanced與ZTop MegPie兆聲波換能器在1MHz左右工作,結(jié)合稀釋的NH4OH,可以產(chǎn)生很好的清潔效果。
高度稀釋(2%)的NH4OH用于增強(qiáng)顆粒和表面之間的靜電排斥力(控制Zeta電位),以避免重新沉積和重新附著。
我們的測(cè)試案例將POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 濕法處理系統(tǒng)內(nèi)。這個(gè)MegPie套件允許你在150毫米和200毫米的有效尺寸之間進(jìn)行選擇,并可選擇藍(lán)寶石或不銹鋼ZTop MegPie。
POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的軟件中,允許伺服控制MegPie的定位和控制前進(jìn)功率。它還監(jiān)測(cè)反射功率,并控制溫度警報(bào)。與基體的距離由一個(gè)超聲波傳感器監(jiān)測(cè)。
二、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào)
POLOS 200 Advanced
POLOS 300 Advanced
POLOS 450 Advanced
基片范圍
φ260mm圓片
6?x6?方片
φ360mm圓片
8?x8?方片
φ460mm圓片
350mmx350mm方片
程序段數(shù)
無(wú)限制*
操作步數(shù)
旋轉(zhuǎn)速度
0-12,000 rpm
0-1500rpm
旋轉(zhuǎn)精度
±0.1 rpm
旋轉(zhuǎn)方向
順時(shí)針、逆時(shí)針、puddle
旋轉(zhuǎn)加速度
≤30,000 rpm/sec
≤1500rpm時(shí)取決于負(fù)載
腔體材質(zhì)
NPP或PTFE
腔體直徑
302 mm
402 mm
502 mm
外形尺寸
380 x 307 x 559mm
430 x 310 x 650mm
795 x 638 x 922mm
觸屏控制
全彩觸屏控制
設(shè)備重量
20Kg
32Kg
75Kg
電源參數(shù)
220V,50/60 Hz
其他推薦產(chǎn)品
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一、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統(tǒng)產(chǎn)品介紹
我們的POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)涵蓋了廣泛的工藝應(yīng)用。與我們的超聲MegPie和特殊的Lift-Off液結(jié)合使用,可進(jìn)一步用于光阻剝離和金屬剝離。此外,也可與去離子水(DiO3)中的臭氧一起使用,為Piranha ( H2SO4 H2O2)清洗提供有效的替代。
Coating - Etching- Developing - Cleaning
1、Coating
(1)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)適用于所有典型的旋涂工藝,該系統(tǒng)在特殊應(yīng)用可選用高耐化學(xué)性 PTFE (TFM?)作為旋涂腔體。旋涂是制造納米聚合物薄膜(PDMS、嵌段聚合體等)技術(shù)??删幊绦D(zhuǎn)速度內(nèi)的加速度是很重的,因?yàn)樗刂屏藦囊粋€(gè)給定的溶液中可以獲得的厚度。旋涂可以相對(duì)容易地從1000轉(zhuǎn)以上的轉(zhuǎn)速產(chǎn)生均勻的薄膜。
(2)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)在于其所采用的馬達(dá)為高性能無(wú)刷電機(jī),12,000轉(zhuǎn)/分鐘的旋轉(zhuǎn)速度和高達(dá)30,000轉(zhuǎn)/秒*的旋轉(zhuǎn)加速度,使其能夠快速生產(chǎn)從幾納米到幾微米厚的均勻薄膜。
(3)POLOS Advanced系列濕法處理系統(tǒng)控制電機(jī)模式的旋轉(zhuǎn)(順時(shí)針/逆時(shí)針),結(jié)合可選的多達(dá)6個(gè)自動(dòng)分配器,能夠?qū)崿F(xiàn)多層薄膜的均勻沉積和光阻顯影。這些特點(diǎn)支持用全自動(dòng)和高度可重復(fù)的程序配方來(lái)快速優(yōu)化工藝。
2、Etching
晶圓減?。ū趁嫜心ィ┑男课g刻作為晶圓減薄的后處理方法被用于集成電路和MEMS的制造,以便于:
(1)實(shí)現(xiàn)理想的器件厚度(IC、MEMS);
(2)確?;谄骷δ艿奶囟ê穸龋∕EMS);
(3)減少垂直器件(功率器件)的基材串聯(lián)電阻;
德國(guó)Fraunhofer ENAS的K.Gottfried博士在POLOS Advanced濕法處理系統(tǒng)上用HNO3 / HF / CH3COOH進(jìn)行旋涂蝕刻的研究證明,濕法蝕刻,作為旋涂蝕刻的執(zhí)行,可以去除10微米的硅。此外,它幾乎*消除了研磨引起的基材損傷的所有痕跡。該平臺(tái)提供了一個(gè)相對(duì)簡(jiǎn)單且價(jià)格合理的工藝設(shè)置。該工藝比CMP快得多,它提供了一個(gè)較高的蝕刻率,并且能夠直接處理背面研磨的晶圓,而不需要額外的清洗。
該平臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn):
①適用于100毫米、150毫米和200毫米晶圓的工藝;
②適用于多種化學(xué)品;
③KOH
④HNO3 / HF / CH3COOH (HNA)
⑤晶圓片連續(xù)旋轉(zhuǎn);
⑥Puddle模式
⑦分注位置可固定
⑧在特定距離(晶圓直徑)上的振蕩運(yùn)轉(zhuǎn)模式
⑨噴霧式點(diǎn)膠
⑩沖洗式點(diǎn)膠
資料來(lái)源:Fraunhofer ENAS-Dr. Knut Gottfried, Precise Bulk Silicon Wet Etching 2013.
Fraunhofer ENAS-Knut Gottfried博士,批量硅濕法蝕刻 2013年。
3、Post-CMP Cleaning
在CMP之后,表面可能會(huì)被漿料的殘留物高度污染。在用含有50nm膠體二氧化硅顆粒的漿料拋光的3''硅片上進(jìn)行的測(cè)試表明,使用POLOS Advanced與ZTop MegPie兆聲波換能器在1MHz左右工作,結(jié)合稀釋的NH4OH,可以產(chǎn)生很好的清潔效果。
高度稀釋(2%)的NH4OH用于增強(qiáng)顆粒和表面之間的靜電排斥力(控制Zeta電位),以避免重新沉積和重新附著。
我們的測(cè)試案例將POLOS ZTop MegPie整合在POLOS 200 Advanced 濕法處理系統(tǒng)內(nèi)。這個(gè)MegPie套件允許你在150毫米和200毫米的有效尺寸之間進(jìn)行選擇,并可選擇藍(lán)寶石或不銹鋼ZTop MegPie。
POLOS ZTop MegPie控制集成到POLOS Advanced的軟件中,允許伺服控制MegPie的定位和控制前進(jìn)功率。它還監(jiān)測(cè)反射功率,并控制溫度警報(bào)。與基體的距離由一個(gè)超聲波傳感器監(jiān)測(cè)。
二、POLOS Advanced系列濕法刻蝕處理系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào)
POLOS 200 Advanced
POLOS 300 Advanced
POLOS 450 Advanced
基片范圍
φ260mm圓片
6?x6?方片
φ360mm圓片
8?x8?方片
φ460mm圓片
350mmx350mm方片
程序段數(shù)
無(wú)限制*
無(wú)限制*
無(wú)限制*
操作步數(shù)
無(wú)限制*
無(wú)限制*
無(wú)限制*
旋轉(zhuǎn)速度
0-12,000 rpm
0-12,000 rpm
0-1500rpm
旋轉(zhuǎn)精度
±0.1 rpm
±0.1 rpm
±0.1 rpm
旋轉(zhuǎn)方向
順時(shí)針、逆時(shí)針、puddle
順時(shí)針、逆時(shí)針、puddle
順時(shí)針、逆時(shí)針、puddle
旋轉(zhuǎn)加速度
≤30,000 rpm/sec
≤30,000 rpm/sec
≤1500rpm時(shí)取決于負(fù)載
腔體材質(zhì)
NPP或PTFE
NPP或PTFE
NPP或PTFE
腔體直徑
302 mm
402 mm
502 mm
外形尺寸
380 x 307 x 559mm
430 x 310 x 650mm
795 x 638 x 922mm
觸屏控制
全彩觸屏控制
全彩觸屏控制
全彩觸屏控制
設(shè)備重量
20Kg
32Kg
75Kg
電源參數(shù)
220V,50/60 Hz
220V,50/60 Hz
220V,50/60 Hz