FAI 微光發(fā)射顯微鏡(EMMI) FAI Photo Emmission Microscope
FAI 微光發(fā)射顯微鏡用于檢測(cè)半導(dǎo)體內(nèi)部缺陷引起的微光發(fā)射或微熱發(fā)射來(lái)準(zhǔn)確定位半導(dǎo)體器件的失效位置。通過(guò)使用不同類(lèi)型的探測(cè)器,或者配置雙激光掃描系統(tǒng)(SIFT),以及配合相應(yīng)的檢測(cè)軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體元器件或芯片電路的微光、微熱、光激勵(lì)誘導(dǎo)失效測(cè)試等各種分析手段。
InGaAs探測(cè)器:波長(zhǎng)探測(cè)范圍 900nm – 1750nm;帶電子半導(dǎo)體制冷器(TEC)的InGaAs探測(cè)器,可冷卻穩(wěn)定在 -40℃以下,無(wú)需使用危險(xiǎn)的液氮制冷劑; InGaAs探測(cè)器分辨率為320x240,像素點(diǎn)尺寸為30 x 30um,更大的像素點(diǎn)面積可以收集更少的光子,探測(cè)靈敏度是普通640x480 InGaAs探測(cè)器的4倍;連續(xù)收集信號(hào)時(shí)間從1微秒到60分鐘;有效波段范圍內(nèi)量子效率(QE)為 80-85%;靈敏度 NEI <1x1010 ph/cm2/sec;量子效率>70 QE 在950-1700nm范圍內(nèi)。