HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
可控硅測(cè)試儀
一:可控硅測(cè)試儀主要特點(diǎn)
華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;
可控硅測(cè)試儀測(cè)試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?
整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用。
二:華科智源可控硅測(cè)試儀應(yīng)用范圍
A:IGBT單管及模塊,
B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)
C:大功率二極管
D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)
三、華科智源可控硅測(cè)試儀特征:
A:測(cè)量多種IGBT、MOS管
B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測(cè)試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測(cè)量精度2mV
E:Vce測(cè)量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護(hù)被測(cè)量器件
H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能
I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài),或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;
序號(hào) |
測(cè)試項(xiàng)目 |
描述 |
測(cè)量范圍 |
分辨率 |
精度 |
1 |
VF |
二極管正向?qū)▔航? |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
2 |
IF |
二極管正向?qū)娏? |
0~1200A |
≤200A時(shí),0.1A |
≤200A時(shí),±1%±0.1A |
3 |
>200A時(shí),1A |
>200A時(shí),±1% |
|||
4 |
Vces |
集電極-發(fā)射極電壓 |
0~5000V |
1V |
±1%,±1V |
5 |
Ic |
通態(tài)集電極電流 |
0~1200A |
≤200A時(shí),0.1A |
≤200A時(shí),±1%±0.1A |
6 |
>200A時(shí),1A |
>200A時(shí),±1% |
|||
7 |
Ices |
集電極-發(fā)射極漏電流 |
0~50mA |
1nA |
±1%,±10μA |
8 |
Vgeth |
柵極-發(fā)射極閾值電壓 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
9 |
Vcesat |
集電極-發(fā)射極飽和電壓 |
0~20V |
1mV |
±1%,±1mV |
10 |
Igesf |
正向柵極漏電流 |
0~10uA |
1nA |
±2%,±1nA |
11 |
Igesr |
反向柵極漏電流 |
|||
12 |
Vges |
柵極發(fā)射極電壓 |
0~40V |
1mV |
±1%,±1mV |
測(cè)試參數(shù):
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用
1) 物理規(guī)格
設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;
質(zhì)量:30kg
2) 環(huán)境要求
海拔高度:海拔不過(guò) 1000m;
儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;
工作環(huán)境:15℃~40℃。
相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;
大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。
防護(hù):無(wú)較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;
3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;
電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz
其他推薦產(chǎn)品
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