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      2. Diligence EVG圖形顯示器 功能強(qiáng)

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        Diligence EVG圖形顯示器功能強(qiáng)

        品牌
        PLUSFO

        所在地
        暫無

        更新時間
        2022-01-05 11:47:54

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          Diligence EVG圖形顯示器功能強(qiáng)

          單晶硅鑄錠爐紅外測溫儀 測溫范圍

          RF-4A14石墨坩堝光纖式紅外線測溫儀
          DCTQ1-7014多晶硅液面溫度紅外測溫儀
          DCTQ2-3514多晶硅液面溫度測量儀

          MS-620紅外測溫儀 功能強(qiáng)MS-620紅外測溫儀 功能強(qiáng)

          1、概述

          多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài),其純度要比單晶硅低,它可作拉制單晶硅的原料。多晶硅由多晶硅鑄錠爐生產(chǎn)出來。
          多晶硅的生產(chǎn)是把高純多晶硅料裝入到鑄錠爐中,抽真空后,將硅料熔化成液態(tài),通過鑄錠爐的自動化的操作,使硅料形成一個豎直溫度梯度。液態(tài)硅自下向上緩慢地重新結(jié)晶,生成一塊大晶粒的多單晶體的鑄錠硅來。硅錠經(jīng)過退火、冷卻后出爐完成整個鑄錠過程。

          目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有:改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界產(chǎn)能的80%。生產(chǎn)工藝以改良西門子法為例:

          MS-620紅外測溫儀 功能強(qiáng)MS-620紅外測溫儀 功能強(qiáng)

          (1)裝料
          將裝有涂層的陶瓷坩堝放置在熱交換臺(冷卻板)上,放入適量的硅原料,然后安裝加熱設(shè)備、隔熱設(shè)備和爐罩,將爐內(nèi)抽真空,使?fàn)t內(nèi)壓力降至(0.05-0.1)mbar并保持真空。通入氬氣作為保護(hù)氣,使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在(400~600)mbar左右。
          (2)加熱
          利用石墨加熱器給爐體加熱,首先使石墨部件(包括加熱器、坩堝板、熱交換臺等)、隔熱層、硅原料等表面吸附的濕氣蒸發(fā),然后緩慢加溫,使陶瓷坩堝的溫度達(dá)到1200℃~1300℃左右,該過程約需要4h~5h。
          (3)化料
          通入氬氣作為保護(hù)氣,使?fàn)t內(nèi)壓力基本維持在(400~600)mbar左右。逐漸增加加熱功率,使陶瓷坩堝內(nèi)的溫度達(dá)到1500℃左右,硅原料開始熔化。熔化過程中一直保持1500℃左右,直至化料結(jié)束。該過程約需要9~11h。
          (4)晶體生長
          硅原料熔化結(jié)束后,降低加熱功率,使陶瓷坩堝的溫度降至1420℃~1440℃硅熔點左右。陶瓷坩堝逐漸向下移動,或者隔熱裝置逐漸上升,使得坩堝慢慢脫離加熱區(qū),與周圍形成熱交換;同時,冷卻板通水,使熔體的溫度自底部開始降低,晶體硅首先在底部形成,并呈柱狀向上生長,生長過程中固液界面始終保持與水面平行,直至晶體生長完成,該過程約需要20h~22h。
          (5)退火
          晶體生長完成后,由于晶體底部和上部存在較大的溫度梯度,因此,晶錠中可能存在熱應(yīng)力,在硅片加工和電池制備過程中容易造成硅片碎裂。所以,晶體生長完成后,晶錠保持在熔點附近2h~4h,使晶錠溫度均勻,以減少熱應(yīng)力。
          (6)冷卻
          晶錠在爐內(nèi)退火后,關(guān)閉加熱功率,提升隔熱裝置或者完全下降晶錠,爐內(nèi)通入大流量氬氣。使晶體溫度逐漸降低至室溫附近;同時,爐內(nèi)氣壓逐漸上升,直至達(dá)到大氣壓,*去除晶錠,該過程約需要10h。
          對于重量為250~300kg的鑄造多晶硅而言,一般晶體生長的速度約為(0.1~0.2)mm/min,其晶體生長的時間約35~45h。
          2、多晶硅紅外溫度測量
          硅材料是比較難測的物體,硅輻射的溫度與發(fā)射率的對應(yīng)關(guān)系如上圖。硅的發(fā)射率在某個特定區(qū)域內(nèi)是不變的。需要紅外測溫儀采用特殊的窄帶濾色片來減小發(fā)射率變化的影響。
          (1)多晶硅液面溫度測量
          采用短波長雙色測溫儀來測量多晶硅液面的溫度。產(chǎn)品:DCTQ1-7XXX(鏈接DCTQ系列雙色紅外測溫儀),溫度分辨率為0.1℃,溫度場內(nèi)的微小變化都能快速響應(yīng),并具有極高的溫度穩(wěn)定性。
          采用比色測溫的方法,可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染,也不會影響測溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測功能,鏡頭太臟時會提前發(fā)出信號,保證系統(tǒng)可靠工作。
          石墨坩堝光纖式紅外測溫儀產(chǎn)品特點如下:
          測溫精度可達(dá)0.5%,重復(fù)精度為2℃,溫度分辨率達(dá)0.1℃(16bit)
          響應(yīng)時間10ms~99.99s可調(diào)
          采用可調(diào)焦鏡頭,測量距離0.35m至無窮遠(yuǎn)
          對探測器采用PID恒溫控制,消除環(huán)境溫度對測量的影響
          可視目鏡,清晰顯示被測目標(biāo)的位置及大小
          兼具雙色和單色測溫功能
          雙色模式下,有鏡頭臟檢測功能
          采用工業(yè)級OLED屏為顯示界面,人機(jī)界面友好
          軟硬件等抗干擾設(shè)計提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,可抗2500VDC脈沖群干擾
          使用場合有防爆要求時,在測量液面的區(qū)域,使用光纖式雙色紅外測溫儀。產(chǎn)品:SN-7018(鏈接SN系列光纖式雙色測溫儀)。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。采用比色測溫的方法,可以避免硅料直徑變化的影響。視窗的污染,也不會影響測溫的準(zhǔn)確性。并有臟鏡頭檢測功能,鏡頭太臟時會提前發(fā)出信號,保證系統(tǒng)可靠工作。
          (2)石墨坩堝溫度的檢測
          采用短波長單色測溫儀來測量石墨坩堝的溫度。產(chǎn)品:DCTQ1-XX(鏈接DCTQ系列單色紅外測溫儀)或者經(jīng)濟(jì)款產(chǎn)品DCTQ(鏈接SN系列單色紅外測溫儀)。
          兩款產(chǎn)品采用1:1綠色光源對準(zhǔn)目標(biāo),并采用可調(diào)焦鏡頭(不受安裝距離遠(yuǎn)近的限制),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。

          在使用場合有防爆要求時,在石墨坩堝的區(qū)域使用光纖式單色紅外測溫儀。產(chǎn)品:DCTQ1-XX光纖式單色測溫儀)。采用可調(diào)焦鏡頭和紅色激光光源瞄準(zhǔn),溫度分辨率為0.1℃,具有極高的溫度穩(wěn)定性。

          石墨坩堝晶體硅液面 雙色紅外測溫儀

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